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Intel一直在积极推进4年内推出5代先进制程的战略，2021-2024年间将陆续投产7、4、3、20A、18A。
Intel 20A（或20-angstrom，或2奈米）节点引入了带有PowerVIAs（一种有助于提高电晶体密度的互连创新）的全门（GAA）RibbonFET电晶体。Intel 20A据称比其前身Intel 3（FinFET EUV，3奈米级）具有15%的性能/瓦特提升，其本身比Intel 4具有18%的性能/瓦特提升（比目前的Intel 7具有20%的性能/瓦特提升），该节点即将进入大规模生产。
英特尔18A节点是对英特尔20A的进一步完善，对RibbonFET进行了设计改进，在规模上提高了电晶体密度，据称比英特尔20A有10%的性能/瓦特提升。
PowerVia技术首秀
Intel 20A制程将引入两种全新的技术，PowerVia背部供电、RibbonFET全环绕栅极电晶体。
PwoerVia技术将传统位于晶片正面的供电层改到背面，与讯号传输层分离，通过一系列TSV矽穿孔为晶片供电，可以大大降低供电噪声、电阻损耗，最佳化供电分布，提高整体能效。
计画6月11-16日举办的VLSI Symposium 2023研讨会上，Intel将首次展示PowerVia技术，不过用的不是20A，而是基于Intel 4的一颗测试晶片，架构则是E核。
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这颗核心的面积仅为2.9平方mm，得益于PowerVia技术，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％(图中橙色区域)，其余的也基本都在80％之上(图中绿色区域)。
同时，PowerVia技术还带来了超过5％的频率提升，吞吐时间略高但可以接受，功耗发热情况符合预期。
除了用于自家产品，Intel也将使用PowerVia技术为客户代工，这也是提前展示其能力的一个原因。
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